بازگشت قدرتمند هواوی به رقابت نیمه‌هادی: هدف‌گذاری برای تراشه‌های ۳ نانومتری تا سال ۲۰۲۶
با وجود قرار گرفتن در لیست سیاه تجاری ایالات متحده و مواجهه با شدیدترین محدودیت‌های فناوری در پی جنگ تجاری میان چین و آمریکا، هواوی همچنان مصمم به حضور فعال در خط مقدم صنعت نیمه‌هادی‌هاست. این غول فناوری چینی اکنون قصد دارد تا سال ۲۰۲۶ از تراشه‌های ۳ نانومتری خود رونمایی کند—گامی بلندپروازانه که در صورت تحقق، می‌تواند نماد مقاومت فنی و استراتژیک این شرکت در برابر محدودیت‌های بین‌المللی باشد.
مهم‌ترین مانع در مسیر پیشرفت هواوی، محرومیت از تجهیزات لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ساخت شرکت هلندی ASML است؛ فناوری‌ای که برای ساخت تراشه‌های پیشرفته ضروری است. با این حال، گزارش‌هایی از منابعی مانند اکونومیک دیلی نیوز تایوان نشان می‌دهد هواوی قصد دارد مرحله نهایی طراحی تراشه موسوم به Tape-Out را تا پیش از پایان سال ۲۰۲۶ به اتمام برساند—مرحله‌ای کلیدی که پیش‌زمینه‌ای برای تولید انبوه این تراشه‌ها خواهد بود. در نتیجه، محصولات مجهز به این نسل جدید از تراشه‌ها احتمالاً در همان سال یا ابتدای ۲۰۲۷ وارد بازار خواهند شد.
این پروژه نه‌تنها نمایانگر جاه‌طلبی هواوی در بازگشت به رقابت با غول‌هایی مانند کوالکام، مدیاتک و سامسونگ است، بلکه می‌تواند شکاف فناوری موجود در حوزه طراحی و ساخت تراشه را نیز تا حدودی کاهش دهد؛ به‌ویژه که رقبا هم‌اکنون وارد فاز توسعه فناوری‌های ۲ نانومتری شده‌اند.
همکاری استراتژیک با SMIC و رویکردهای نوآورانه
SMIC، بزرگ‌ترین تولیدکننده تراشه در چین و شریک کلیدی هواوی، نقش مهمی در عملیاتی شدن این برنامه ایفا می‌کند. همکاری این دو شرکت از مدت‌ها پیش آغاز شده، اما فشارهای ژئوپلیتیکی باعث کندی روند پیشرفت شده است. هواوی در این مسیر قصد دارد از معماری ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) بهره بگیرد—فناوری‌ای که وعده کاهش نشت جریان و افزایش بازدهی انرژی را می‌دهد.
همچنین، گزارش‌ها حاکی از آن است که این شرکت در حال تحقیق بر روی جایگزینی مواد سنتی سیلیکونی با مواد دوبعدی نظیر نانولوله‌های کربنی در طراحی ترانزیستورها است. چنین حرکتی، در صورت موفقیت، می‌تواند یک جهش چشمگیر در بهره‌وری انرژی و عملکرد تراشه‌ها به‌همراه داشته باشد.
عبور از محدودیت‌ها با استفاده از تجهیزات نسل قدیم
هواوی و SMIC پیش از این، توانسته‌اند تراشه‌های ۵ نانومتری مانند Kirin X90 را بدون بهره‌گیری از تجهیزات EUV و صرفاً با استفاده از دستگاه‌های DUV (فرابنفش عمیق) تولید کنند. البته این دستاورد هزینه‌هایی نیز به همراه داشته است—نظیر بازده تولید پایین که گفته می‌شود در حدود ۲۰ درصد بوده و احتمالاً برای فناوری ۳ نانومتری حتی کمتر خواهد بود. با این حال، همین موفقیت نسبی نیز نشان‌دهنده پشتکار فنی و انعطاف عملیاتی هواوی در شرایط محدودیت‌های شدید است.
جایگاه هواوی در آینده صنعت نیمه‌هادی
عرضه تراشه‌های ۳ نانومتری در سال ۲۰۲۶، هرچند با تأخیر نسبت به رقبا، یک پیروزی نمادین برای هواوی محسوب خواهد شد. نکته قابل‌توجه آن است که اخیراً حتی انویدیا نیز از هواوی به‌عنوان یکی از رقبای بالقوه جدی‌تر خود نسبت به اینتل و AMD یاد کرده است—موضوعی که جایگاه بلندمدت هواوی در زنجیره تأمین جهانی نیمه‌هادی را پررنگ‌تر می‌سازد.
در همین حال، منابع صنعتی گزارش داده‌اند که چین پروژه‌ای گسترده برای توسعه فناوری داخلی EUV به راه انداخته و بودجه‌ای حدود ۳۷ میلیارد دلار برای آن اختصاص داده شده است. گفته می‌شود هواوی نیز در حال آزمایش نمونه‌های اولیه EUV بومی است، گرچه بسیاری از متخصصان (از جمله مهندسان سابق ASML) دستیابی به کیفیت رقابتی با نمونه‌های هلندی را در کوتاه‌مدت غیرواقع‌بینانه می‌دانند. با این حال، اگر روند توسعه مشابه پروژه‌هایی چون Kirin 9010 پیش برود، امکان موفقیت چراغ‌خاموش در این زمینه نیز وجود دارد.
جمع‌بندی
هواوی با هدف‌گذاری جاه‌طلبانه خود برای تولید تراشه‌های ۳ نانومتری تا سال ۲۰۲۶، نه‌تنها در برابر فشارهای سیاسی مقاومت کرده، بلکه در حال شکل‌دهی به یک بازگشت تدریجی اما استراتژیک به زنجیره فناوری پیشرفته جهان است. اگر این هدف محقق شود، این شرکت نه‌تنها شکاف خود با رقبای بین‌المللی را کاهش خواهد داد، بلکه می‌تواند به یکی از بازیگران اصلی شکل‌دهنده آینده صنعت نیمه‌هادی بدل شود—حتی در دنیایی که هنوز تحت سلطه فناوری‌های غربی قرار دارد.